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CMOS電平與TTL電平邏輯器件中,決定交接信號的規(guī)格是由作為DC電學特性的輸入電壓肯定的。輸入電壓存在兩種規(guī)格:將輸入斷定為L的低電平輸入
失效模式表14 2列出三種失效形式:①開路失效 ②漏電流/短路失效 ③特性劣化失效在器件制造中產生緣由 實踐上要用電學實驗的方法將器件的
存儲器為了記憶、改寫大量的數(shù)據(jù),需求運用存儲器。關于將數(shù)據(jù)寫入、讀出存儲器單元的控制電路和輸入輸出電路,采用耗費功率低、容易集成化
基本邏輯電路CMOS IC基本邏輯電路列于表10 1。邏輯符號有兩種表示法,一種是人們已經熟習的美國MIL-STD標準,另一種是最近展開起來的IEC J
從高電壓向低電壓變換的接口高電壓向低電壓變換的接口要點不是L/H的邏輯傳輸上的問題,而是在低的電壓下流入接納IC的輸入部分的電流以及因
cmos輸出容忍功能特點的作用資料輸出的容忍功用如圖13 22所示,在同一信號線上,①未運用時電源VDD連接處于OFF狀態(tài)的IC的輸出的場所;②
MOS開關開關在集成電路設計中有很多作用。在模擬電路中,開關被用來實現(xiàn)諸如電阻的開關仿真[1]等有用的功能。開關同樣也用于多路選擇、調制
什么是MOS管MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效應管,屬于場效
簡單場效應管功放場應管偶次諧波豐厚,聽感頗有電子管的風味。而且其輸出功率相比電子管能夠做得很大,且本錢不高,所以前級配場效應管功放
一、場效應管是什么場效應管是場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))的簡稱。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬
MOS管的工作原理及表示符號根據(jù)導通溝道的載流子性質MOS管可分為NMOS管(即N溝道MOS管)與PMOS管(即P溝道MOS管)。NMOS管是指其導電溝道中
在半導體世界里,PN結是二極管發(fā)展演變的基因,利用PN結的單向導電性可開發(fā)出各種半導體產品,例如整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關二極管等。