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次級(jí)負(fù)載-續(xù)流二極管知識(shí)次級(jí)負(fù)載、續(xù)流二極管及電感的 電流選擇次級(jí)和輸出電感線徑 、整流 極管和續(xù)流二極管額起電流時(shí) ,需求曉得各
集射極間電壓圖射極開路的時(shí)分,集射極間能夠承受的最大電壓 。它是器件的最小額定電壓。假設(shè)基射極間的電阻很小 ( 50 lOO!l) ,那
線性調(diào)整器知識(shí)線性調(diào)整器的主要缺陷是串接晶體管存在過大功耗 。一切的負(fù)載電流都必需經(jīng)過串接 晶體管,其功耗為 C V盧c -Vo ) 。
PWM控制電路-PWM控制芯片電路工作原理詳情開關(guān)電源常用的控制方式有脈沖寬度調(diào)耐(PWM、脈沖頻率調(diào)制(PFM)和混合調(diào)制三種。目前大多數(shù)開關(guān)電
電容主要性能指標(biāo)圖電容電容是一種主要針對(duì)交流信號(hào)停止處置的元件。應(yīng)用電容對(duì)不同頻率交流信號(hào)呈現(xiàn)的容抗變化,能夠構(gòu)成各種功用的電容電
設(shè)計(jì)電源雙極型晶體管知識(shí)在過去的十幾年中,大功率場(chǎng)效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的反動(dòng),而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的展開。由于MOSFET管具有更快
輔助繞組的電壓消逝知識(shí)輔助電源的接地問題在設(shè)計(jì)電路時(shí),首先要決議為PWM控制電路芯片供電的輔助控制電源是接輸出地還是接輸入地。在大多
電流電壓間的堆疊MOS功率開關(guān)管損耗2 2 12 1 交流開關(guān) (電流電壓間的 堆疊) 損耗由于在 T=O 后很短的時(shí)間內(nèi) ,電感呈現(xiàn)無量大阻抗
正激變換器拓?fù)涞幕竟ぷ髟斫诲e(cuò)正激變換器拓?fù)浠竟ぷ髟?、優(yōu)缺陷和輸出功率限制這種拓?fù)渲皇莾蓚€(gè)相同的單端正激變換器交替工作 (
設(shè)計(jì)和制造的主要流程什么是集成電路設(shè)計(jì)? 根據(jù)電路功能和機(jī)能的要求,在準(zhǔn)確選擇系統(tǒng)配置、電路形式、器件結(jié)構(gòu)、工藝方案和設(shè)計(jì)規(guī)則的情
續(xù)流二極管雙向恒壓控制在需要單向升降壓且能量可以雙向活動(dòng)的場(chǎng)合,很有應(yīng)用價(jià)值,如應(yīng)用于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車時(shí),輔以三相可控全橋電路,可