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N溝道MOS管飽和區(qū),邏輯門電路詳解
2022-11-19
N溝道MOS管飽和區(qū),邏輯門電路詳解導電溝道機理：如果外部不加控制電壓就有導電溝道的是耗盡型。如果需要外部加控制電壓才有導電溝道的是增
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共源級MOS管飽和區(qū)小信號增益解析
2022-11-19
共源級MOS管飽和區(qū)小信號增益解析作為放大器，其最重要的功能就是在大信號的支持下且保證一定精度時強調(diào)對小信號的增益。本文介紹一個公式
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MOS管,利用MOS管降低供電電壓介紹
2022-11-19
MOS管,利用MOS管降低供電電壓介紹如何降低供電電壓下面電路就是利用一顆N溝道MOS管來實現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓，核心板啟動之后，輸出低電壓
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MOSFET測試,什么是雙脈沖測試解析
2022-11-18
MOSFET測試,什么是雙脈沖測試解析通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反向恢復特性，并確認MOSFET損耗情況。MOSFET體二極管的反向恢復特
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雙脈沖測試電路原理及波形示意圖介紹
2022-11-18
雙脈沖測試電路原理及波形示意圖介紹功率器件的很多動態(tài)參數(shù)可以從器件的數(shù)據(jù)手冊中獲取，但是器件手冊只給出特定測試條件下的動態(tài)參數(shù)。當
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MOSFET失效模式,dv/dt失效是什么
2022-11-18
MOSFET失效模式,dv dt失效是什么dv dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造
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dV/dt對MOSFET動態(tài)性能的影響介紹
2022-11-17
dV dt對MOSFET動態(tài)性能的影響介紹MOSFET的dv dt是指開關(guān)瞬態(tài)過程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv dt太大，可能發(fā)生振鈴，進而可能導致MOS
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MOSFET di/dt與dv/dt分開控制方法介紹
2022-11-17
MOSFET di dt與dv dt分開控制方法介紹功率 MOSFET 的開關(guān)過程功率 MOSFET 的開通過程中可以分為 4 個階段，關(guān)斷過程的基本原理和開
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米勒效應(yīng)對MOSFET開關(guān)過程有什么影響嗎
2022-11-17
米勒效應(yīng)對MOSFET開關(guān)過程有什么影響嗎下面以圖10中電機控制電路來說明米勒效應(yīng)對MOSFET開通關(guān)斷過程的影響。在圖10控制電路中，上管導通時
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MOS管選型,MOSFET應(yīng)用方案解析
2022-11-16
MOS管選型,MOSFET應(yīng)用方案解析MOSFET應(yīng)用案例解析1、開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導通和關(guān)斷。同時，有數(shù)十種拓撲可
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MOSFET的門源極并聯(lián)電容介紹
2022-11-16
MOSFET的門源極并聯(lián)電容介紹MOSFET門源極并聯(lián)電容后，開關(guān)可靠性得到提升開關(guān)電路如下圖：電路解釋1 該電路用于高邊開關(guān)，當MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉
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電路設(shè)計,過熱保護電路圖介紹
2022-11-16
電路設(shè)計,過熱保護電路圖介紹過熱保護電路圖（一）原理電路是以電機過熱保護為例，由PTC熱敏電阻和施密特電路構(gòu)成的控制電路。圖中，RT1、R