MOS管的全稱是金屬氧化物半導體場效應晶體管。
如圖所示這是一個N溝道的MOS晶體管，一共有三個級，漏極，柵極、源極。
MOS晶體管可以實現的功能是：當柵極沒有電壓時，它是截止的，當給柵極一個電壓之后MOS晶體管就導通了。
上圖為MOS管的半導體結構
N代表是N型半導體(Negative)，N型半導體摻入了五價的磷元素。
P代表P型半導體(Positive)，P型半導體在純凈的硅晶體中摻入了三價的硼。
因為摻入了五價的磷元素，所以有多的自由電子，因為自由電子帶負電，所以英文名字叫Negative(消極的，負電的)。
因為在純的硅晶體中摻入了三價的硼，導致最外層沒有形成8電子的穩(wěn)定結構，缺少電子形成了空穴帶正電，所以英文名字叫Positive(正點的，正極的)，在這里很重要的是，P型半導體同樣也是含有自由電子的只是沒有N型半導體的自由電子數多。
當接通電源的時候，電流的流向和電子的流向如上圖所示。
由于P型半導體和N型半導體等效成了兩個二極管(模型上的等效，實際上不能進行等效)，導致電路沒有辦法進行導通。
當在P型半導體上面加上絕緣層金屬板并通上電之后，P型半導體的自由電子迅速向絕緣層方向靠近，就形成了N溝道，并且順利導通。
同時MOS管還具有如下特點;
1.由于有絕緣層的存在，MOS管柵極輸入阻抗非常高。
2.MOS管柵極很容易被靜電擊穿，造成永久損壞。
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