MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和三極管（雙極型晶體管）是兩種常見(jiàn)的晶體管類型，它們?cè)诠ぷ髟?、結(jié)構(gòu)和特性等方面有一些顯著的區(qū)別。
1. 結(jié)構(gòu)：
- MOS管：三個(gè)極為柵極-G、源極-S、漏極-D，MOS管由金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成，主要包括柵極、漏極和源極。其特點(diǎn)是具有非常高的輸入電阻和低的靜態(tài)功耗。
- 三極管：三個(gè)極分為基極-b、集電極-c、發(fā)射極-e，三極管由三個(gè)區(qū)域（發(fā)射極、基極和集電極）構(gòu)成，主要用于放大和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，但輸入電阻較低。
2. 工作原理：
- MOS管：MOS管通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制漏極和源極之間的導(dǎo)通情況，具有高輸入電阻和低噪聲。
- 三極管：三極管通過(guò)基極電流來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的電流，適用于放大和開(kāi)關(guān)電路。
MOS管適用于高頻和數(shù)字電路，具有高輸入電阻和低功耗的特點(diǎn)；而三極管適用于模擬電路和功率放大電路，具有較高的電流增益和功率放大能力。
MOS管
G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn)
S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是
D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊
箭頭指向G極的是N溝道
箭頭背向G極的是P溝道
寄生二極管方向判定
不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：
要么都由S指向D，要么都有D指向S
MOS管用作開(kāi)關(guān)時(shí)在電路中的連接方法
NMOS：D極接輸入，S極接輸出
PMOS：S極接輸入，D極接輸出
MOS管的開(kāi)關(guān)條件
N溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通
P溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通
總之，導(dǎo)通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|
從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳
無(wú)論是NMOS還是PMOS
按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S。
或者這么記：?jiǎn)为?dú)的一腳為D，逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。
這里順便提一下三極管的管腳識(shí)別：同樣按照上圖方向擺正，中間一腳為C，左邊為B，右邊為E。
管腳編號(hào)
從G腳開(kāi)始，逆時(shí)針123
三極管的管腳編號(hào)同樣從B腳開(kāi)始，逆時(shí)針123
用萬(wàn)用表辨別NNOS、PMOS
借助寄生二極管來(lái)辨別。將萬(wàn)用表檔位撥至二極管檔，紅表筆接S,黑表筆接D，有數(shù)值顯示，反過(guò)來(lái)接無(wú)數(shù)值，說(shuō)明是N溝道，若情況相反是P溝道。
三極管
什么是三極管：三極管全稱半導(dǎo)體三極管，也稱晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱大的電信號(hào)放大成幅度較大的電信號(hào)，無(wú)需觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)，在電路中起開(kāi)關(guān)和放大電流作用。
三極管引腳：B（基極）、C（集電極）、E（發(fā)射極）
按照半導(dǎo)體排列方式區(qū)分：PNP三極管和NPN三極管
按照材質(zhì)區(qū)分：硅管（PN結(jié)導(dǎo)通電壓0.5-0.7V）、鍺管（PN結(jié)導(dǎo)通電壓0.1-0.3V）
PN結(jié)偏置：正偏、反偏、零偏
正偏：P（陽(yáng)極）電位高，N（陰極）電位低，正向?qū)?/div>
反偏：P電位低，N點(diǎn)位高，反向截止
飽和：P和N電位相等
三種狀態(tài)：
1、放大：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 基極b 發(fā)射極e 導(dǎo)通
2、截止：發(fā)射結(jié)，集電結(jié)都反偏 基極b 發(fā)射極e 不導(dǎo)通
3、飽和：發(fā)射結(jié)，集電結(jié)都正偏或者發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)零偏 基極b 發(fā)射極e 導(dǎo)通
口訣：發(fā)正級(jí)反是放大，全正飽和全反截
箭頭朝內(nèi)PNP，箭頭朝外NPN，箭頭引腳發(fā)射極
MOS管和三極管的對(duì)比
場(chǎng)效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對(duì)應(yīng)圖。
2)．場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是（跨導(dǎo)gm）當(dāng)柵極電壓改變一伏時(shí)能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)（貝塔β）當(dāng)基極電流改變一毫安時(shí)能引起集電極電流變化多少。
3)．場(chǎng)效應(yīng)管柵極和其它電極是絕緣的，不產(chǎn)生電流；而三極管工作時(shí)基極電流IB決定集電極電流IC。因此場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。
4)．場(chǎng)效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電；三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電，因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場(chǎng)效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。
5)．場(chǎng)效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大，而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí)，其特性差異很大，b 值將減小很多。
6)．場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。
7)．場(chǎng)效應(yīng)管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開(kāi)關(guān)電路，但是場(chǎng)效應(yīng)管制造工藝簡(jiǎn)單，并且又具有普通晶體三極管不能比擬的優(yōu)秀特性，在各種電路及應(yīng)用中正逐步的取代普通晶體三極管，目前的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中，已經(jīng)廣泛的采用場(chǎng)效應(yīng)管。
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