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  • MOS管閾值電壓及溝長和溝寬的關(guān)系與影響閾值電壓的因素
    • 發(fā)布時間:2020-09-04 18:40:03
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    MOS管閾值電壓及溝長和溝寬的關(guān)系與影響閾值電壓的因素
    閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時,電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
    MOS管閾值電壓與溝長和溝寬的關(guān)系
    關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對其閾值電壓 Vth 的影響,實際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜,但是也可以有一些簡化的分析,這里主要還是分析當(dāng)晶體管處在窄溝道和短溝道情況下,MOSFET 耗盡區(qū)的電荷的變化,從而分析其對晶體管的閾值電壓的作用。
    Narrow channel 窄溝的分析
    MOS管,MOSFET,閾值電壓
    從上圖可以看到,決定MOSFET閾值電壓的耗盡層電荷,并不僅是在柵下區(qū)域的電荷 Qch;實際上在圖中耗盡區(qū)左右與表面相接處,還需要有額外的電荷 Qchw。
    在晶體管的溝寬 W 較大時,Qchw 這一額外的電荷可以忽略;而當(dāng)溝寬 W 較小時,Qchw 不能再忽略,使得等效的耗盡層電荷密度增加,MOS 管的閾值電壓升高,即如上面圖所示。
    實際上,窄溝導(dǎo)致的閾值電壓的變化也可以理解為在溝寬 W 方向的邊緣電場的電力線出現(xiàn)在溝道以外,因此需要更多的柵電壓來維持溝道開啟。因此窄溝的效應(yīng)實際上與具體的集成電路工藝,例如器件采用的隔離方式和隔離區(qū)域的摻雜濃度等關(guān)系很大。
    對于 STI (shallow trench isolaTIon) 隔離方式的 MOSFET, 由于 STI wall 的作用,溝寬 W 方向的邊緣電場的電力線實際上是在溝道方向集中,因此會出現(xiàn)所謂的 inverse narrow-width effect,也即是隨著溝寬 W 的減小,閾值電壓隨之減小。
    Short channel 短溝的分析
    MOS管,MOSFET,閾值電壓
    如上面左圖所示, 晶體管中耗盡層電荷包括從源到漏的所有電荷。 但是, 實際上在靠近源和漏端的部分電荷 Qchl , 不再直接受控于柵, 而是由源和漏來控制。 因此 Qchl 是不應(yīng)該包含在閾值電壓的計算中的。
    類似之前的分析, 當(dāng)溝長 L 較小時, 需要考慮 Qchl 影響, 使等效的耗盡層電荷密度減小, MOS 管的閾值電壓減小,即如上面右圖所示。
    在具體工藝中, 由于存在溝道的非均勻摻雜等現(xiàn)象,實際上會使得有 reverse short-channel effect 的出現(xiàn),即隨著 MOSFET 的溝長 L 的減小,閾值電壓會先小幅升高,之后 L 進一步減小時,閾值電壓下降,并且此時的閾值電壓對溝長的變化更為敏感。
    影響閾值電壓的因素
    一個特定的晶體管的閾值電壓和很多因素有關(guān),包括backgate的摻雜,電介質(zhì)的厚度,柵極材質(zhì)和電介質(zhì)中的過剩電荷。
    1、背柵的摻雜
    背柵(backgate)的摻雜是決定閾值電壓的主要因素。如果背柵摻雜
    越重,它就越難反轉(zhuǎn)。要反轉(zhuǎn)就要更強的電場,閾值電壓就上升了。MOS管的背柵摻雜能通過在介電層表面下的稍微的implant來調(diào)整。
    2、電介質(zhì)
    電介質(zhì)在決定閾值電壓方面也起了重要作用。厚電介質(zhì)由于比較厚而削弱了電場。所以厚電介質(zhì)使閾值電壓上升,而薄電介質(zhì)使閾值電壓下降。
    3、柵極的物質(zhì)成分
    柵極(gate)的物質(zhì)成分對閾值電壓也有所影響。如上所述,當(dāng)GATE和BACKGATE短接時,電場就施加在gate oxide上。
    4、介電層與柵極界面上過剩的電荷
    GATE OXIDE或氧化物和硅表面之間界面上過剩的電荷也可能影響閾值電壓。這些電荷中可能有離子化的雜質(zhì)原子,捕獲的載流子,或結(jié)構(gòu)缺陷。電介質(zhì)或它表面捕獲的電荷會影響電場并進一步影響閾值電壓。如果被捕獲的電子隨著時間,溫度或偏置電壓而變化,那么閾值電壓也會跟著變化。
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