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  • igbt作用與原理是什么-igbt如何選型和使用注意事項詳解
    • 發(fā)布時間:2020-06-02 17:49:54
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    igbt作用與原理是什么-igbt如何選型和使用注意事項詳解
    igbt作用和原理是什么?
    IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
    igbt作用
    圖1 IGBT的等效電路
    由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定:
    1、IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓。
    2、IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓。
    3、流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流。
    4、IGBT的結溫。
    如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極-發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;
    同樣,如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極-發(fā)射極之間的耐壓,流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流超過集電極-發(fā)射極允許的最大電流,IGBT的結溫超過其結溫的允許值,IGBT都可能會永久性損壞。
    igbt作用
    IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。
    當MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層的空穴(少子),對N一層進行電導調(diào)制,減小N一層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。
    igbt作用
    開通時IGBT的電源、電壓波形
    igbt作用
    igbt作用:IGBT是一種功率晶體管,運用此種晶體設計之UPS可有效提升產(chǎn)品效能,使電源品質好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長等多種優(yōu)點。
    IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽極,和控制極。關斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時候存在很小的電阻,通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關斷。
    igbt使用注意事項
    (1)操作過程中要佩戴防靜電手環(huán);
    (2)盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;
    (3)IGBT模塊驅動端子上的黑色海綿是防靜電材料,用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線;
    (4)在焊接作業(yè)時,設備容易引起靜電壓的產(chǎn)生,為了防止靜電的產(chǎn)生,請先將設備處于良好的接地狀態(tài)下。
    igbt如何選型
    1、IGBT額定電壓的選擇
    三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開關工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級,選擇1200V電壓等級的IGBT。
    2、IGBT額定電流的選擇
    以30kW變頻器為例,負載電流約為79A,由于負載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內(nèi),承受1.5倍的過流,擇最大負載電流約為119A ,建議選擇150A電流等級的IGBT。
    3、IGBT開關參數(shù)的選擇
    變頻器的開關頻率一般小于10kHZ,而在實際工作的過程中,IGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大,建議選擇低通態(tài)型IGBT。
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