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  • 壓敏電阻器介紹與其電極制備方法
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-04-13 18:45:32
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    壓敏電阻器介紹與其電極制備方法
    一、 壓敏電阻簡介
    壓敏電阻器是指對(duì)電壓敏感的電阻器,是一種半導(dǎo)體器件,其制作材料主要是氧化鋅。壓敏電阻器的最大特點(diǎn)是當(dāng)加在它上面的電壓低于其閾值UN時(shí),流過的電流極小,相當(dāng)于一只關(guān)死的閥門,當(dāng)電壓超過UN時(shí),流過它的電流激增,相當(dāng)于閥門打開。
    壓敏電阻器
    壓敏電阻
    利用這一功能,可以抑制電路中經(jīng)常出現(xiàn)的異常過電壓,保護(hù)電路免受過電壓的損害。壓敏電阻器工作原理-過壓保護(hù)原理:壓敏電阻器主要用在電氣設(shè)備交流輸入端,用做過壓保護(hù)。當(dāng)輸入電壓過高時(shí),它的阻值將減小,位串聯(lián)在輸入電路中的保險(xiǎn)管熔斷,切斷輸入,從而保護(hù)電氣設(shè)備。
    壓敏電阻器常用的電極材料有導(dǎo)電漿料、無機(jī)鹽和金屬材料。導(dǎo)電漿料有貴金屬漿料和賤金屬漿料;無機(jī)鹽有氯化物和硫酸鹽;金屬材料有線材和粉末。
    基于各種電極材料的特性,出現(xiàn)了許多制備壓敏電阻器電極的方法,主要有料漿法、化學(xué)鍍、熱噴涂和冷噴涂。
    本文詳細(xì)綜述了壓敏電阻器電極的制備方法。
    二、 漿料法
    由于銀的導(dǎo)電能力強(qiáng),抗氧化性能好,在銀表面可以直接焊接金屬,所以壓敏電阻器通常采用銀漿制備電極 。
    采用鋁漿制備電極,也顯現(xiàn)出低的接觸電阻。
    銅漿制備電極已用在鈦酸鍶環(huán)形壓敏電阻器、氧化鋅壓敏電阻器和片式陶瓷電容器。
    鎳漿、鋅漿制備電極見諸報(bào)導(dǎo),目前尚處實(shí)驗(yàn)室研究過程中。
    壓敏電阻器
    壓敏電阻展示圖
    2.1 被銀法
    被銀法又名燒滲銀法。
    燒滲是在高溫及還原性氣氛的作用下,一部分金屬氧化物將被還原成金屬,另一部分則可能熔融并添加到陶瓷玻璃相中,或與陶瓷中之某些晶態(tài)物質(zhì)通過化學(xué)反應(yīng)而生成一種新的化合物,形成一種粘稠的過渡層,并對(duì)陶瓷表面完全潤濕。而且,在冷卻過程中這粘稠的過渡層,凝固為玻璃相,填充于陶瓷表面與金屬粉粒之間。
    ⑴ 被銀法的工藝過程步驟
    ① 瓷件預(yù)處理
    瓷件被銀之前必須預(yù)先進(jìn)行凈化處理。
    ② 銀漿配制
    銀漿的配方,主要是由含銀原料、溶劑及粘合劑組成。
    ③ 銀電極漿料的制備
    將制備好的含銀原料、溶劑和粘合劑按一定配比配料后,在剛玉或瑪瑙罐中球磨40h~90h,使粉體粒度<5μm并混合均勻。
    ④ 涂敷工藝
    涂敷工藝有手工、機(jī)械、浸涂、噴涂或絲網(wǎng)印刷等。
    ⑤ 燒銀
    燒銀的目的,是在高溫作用下使瓷件表面上形成連續(xù)、致密、附著牢固、導(dǎo)電性良好的銀層。
    ⑵ 銀漿制備電極存在的缺陷
    ① 對(duì)某些陶瓷材料,銀電極層的附著強(qiáng)度不好、易脫落,元件的廢品率較高。
    ② 銀離子的遷移將可能影響性能的長期穩(wěn)定性。
    ③ 雖然銀的價(jià)格沒有金、鉑高,但銀也在貴金屬材料之列,生產(chǎn)成本仍然比較高。
    2.2 被銅法
    (1)銅漿含銅量
    銅漿含銅量在70%~75%間,燒滲溫度為520℃~600℃的低溫[5]。
    (2)涂敷工藝 為 絲網(wǎng)印刷
    用200目絲網(wǎng)在壓敏陶瓷體上印8μm~10μm厚度的銅漿。
    (3)烘干
    鏈帶式烘干爐,普通大氣環(huán)境下,最高溫度為150℃~200℃,烘干周期為5min~10min。
    (4)燒滲
    將烘干的壓敏電阻用篩網(wǎng)裝好后,放入專用的鏈帶式氮?dú)夥毡Wo(hù)隧道電爐中燒滲銅電極。整個(gè)燒滲過程必須在幾乎無氧的氣氛環(huán)境下進(jìn)行。
    ① 升溫區(qū)
    在溫度為200℃~450℃的升溫區(qū),未來更有利地排走銅漿料中的溶劑和粘結(jié)劑等有機(jī)物,通入的高純氮混有微量空氣,其中氧氣的混合比例控制在50ppm~500ppm。
    ② 高溫區(qū)
    最高銅電極燒滲溫度為500℃~600℃,恒溫時(shí)間為1min~10min,該溫區(qū)段必須通入99.999%純度的高純氧,氧含量控制在<20ppm。
    ③ 降溫區(qū)
    通入99.999%純度的高純氧,氧含量控制在<20ppm。靠進(jìn)出口的位置使用水冷降溫,確保出爐產(chǎn)品的溫度低于60℃。
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