MOS電流：60V -100V
MOS電壓：80A-160A
60v電動車控制器MOS管選型
3308 （80A/80V） 75NF75 （80A/80V） 2808 （150A/80V） 2806 （160A/60V） 2906A （130A/60V） 2910 （130A/100V）等；
60V MOS管的系列
30N06B （25A/60V）、KNX8606A （35A/60V）、50N06B （50A/60V）、KNX3706A （50A/60V）、KNX3406A （80A/60V）、KNX3306B （80A/60V）、KNX3206A （110A/60V）、3205S （130A/60V）、2906A （130/60V）、2806A （160A/60V）等；
60V MOS管封裝形式
TO-252、TO-92 、TO-2247、TO-3PF、TO-220、DFN5*6、DFN3*3、TO-220F、TO-263、TO-263-6L、TO-251、SOP-8、SOT-223、TSSSOP-8；
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MOS管應(yīng)用于大多數(shù)電子設(shè)備，如家電、汽車電源、充電器、電動報警器MOS管、電動車MOS管耐壓等。再者，它在這些設(shè)備中能夠起到許多作用，比如放大電路、作為可變電阻、作為恒流源及作為電子開關(guān)使用。
1、MOS管在電動車控制器中的作用
正常運轉(zhuǎn)時把電池里的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，從而帶動電機運轉(zhuǎn)。剎車時將電機回饋的交流電轉(zhuǎn)化為直流電返回電池。簡單來說電機是靠MOS的輸出電流來驅(qū)動的，輸出電流越大（為了防止過流燒壞MOS管，控制器有限流保護），電機扭矩就強，加速就有力，所以MOS管在使用中是起到了“心臟”的作用。
2、MOS管在控制器電路中的工作狀態(tài)
它共有這幾種狀態(tài)。開通過程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程、截止?fàn)顟B(tài)、擊穿狀態(tài)。MOS管主要損耗包括開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在MOS管承受規(guī)格之內(nèi)，MOS管即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，尤其是PWM沒完全打開，處于脈寬調(diào)制狀態(tài)時（對應(yīng)電動車的起步加速狀態(tài)），而最高急速狀態(tài)往往是導(dǎo)通損耗為主。
3、MOS在電動車控制器中的應(yīng)用
我們電動車上用的功率mos和平常cmos集成電路中的小功率mos結(jié)構(gòu)是不一樣的。小功率mos是平面型結(jié)構(gòu)。而電動車上上用的功率mos是立體結(jié)構(gòu)。平面型結(jié)構(gòu)是指，mos柵極，源級和漏級都在芯片表面（或者說正面），而溝道也在芯片表面橫向排列。（我們常見的教科書的介紹mos原理一般都是拿平面結(jié)構(gòu)介紹）。而功率mos的立體結(jié)構(gòu)（溝道是深槽立體結(jié)構(gòu)）是柵極和源級引線從芯片正面引出（其實柵極也不在表面而是內(nèi)部，只是比較靠近表面），而漏級是從芯片背面引出（其實整個芯片背面都是漏級連接在一起的，整個個漏級用焊接材料直接焊接在金屬板上，就是mos的金屬背板，一般是銅鍍錫的），所以我們見到的mos一般金屬板和中間引腳（就是漏級）是完全導(dǎo)通的（有些特殊的封裝是可以做到金屬板和中間腳絕緣的）。
功率mos內(nèi)部從漏級到源級是有一個二極管的，這個二極管基本上所有的功率mos都具有，和它本身結(jié)構(gòu)有關(guān)系（不需要單獨制造，設(shè)計本身就有）。當(dāng)然可以通過改變設(shè)計制造工藝，不造出這個二極管。但是這會影響芯片功率密度，要做到同樣耐壓和內(nèi)阻，需要更大的芯片面積（因為結(jié)構(gòu)不同）。大家只是知道這回事就行了。
我們所見的mos管，其實內(nèi)部由成千上萬個小mos管并聯(lián)而成（實際數(shù)量一般是上千萬個，和芯片面積和工藝有關(guān)）。如果在工作中，有一個或幾個小管短路，則整個mos表現(xiàn)為短路，當(dāng)然大電流短路mos可能直接燒斷了（有時表現(xiàn)為金屬板和黑色塑封間開裂），又表現(xiàn)為開路。大家可能會想這上千萬個小mos應(yīng)該很容易出現(xiàn)一個或幾個壞的吧，其實真沒那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。它們的各種開關(guān)動作幾乎完全一致，當(dāng)然最終燒壞時，肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩(wěn)定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導(dǎo)致這些小管的參數(shù)不那么一致。有時一點小的工藝缺陷（比如一個1um甚至更小的顆粒如果在關(guān)鍵位置）往往會造成整個芯片（缺陷所在的管芯）報廢。
4、MOS管損壞主要原因
過流，大電流引起的高溫?fù)p壞（分持續(xù)大電流和瞬間超大電流脈沖導(dǎo)致結(jié)溫超過承受值）；過壓，源漏級大于擊穿電壓而擊穿。柵極擊穿，一般由于柵極電壓受外界或驅(qū)動電路損壞超過允許最高電壓（柵極電壓一般需低于20v安全）以及靜電損壞。
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