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    場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理圖文解析和引腳參數(shù)
    • 發(fā)布時(shí)間:2019-06-11 18:38:29
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    場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理圖文解析和引腳參數(shù)
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor,簡(jiǎn)寫成FET。
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性
    一:場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓掌握機(jī)件,它經(jīng)過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)掌握ID(漏極直流電);
    二:場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出端直流電極小,因而它的輸出電阻很大。
    三:它是應(yīng)用少數(shù)載流子導(dǎo)熱,因而它的量度穩(wěn)固性較好;
    四:它組成的縮小通路的電縮小小系數(shù)要小于三極管組成縮小通路的電縮小小系數(shù);
    五:場(chǎng)效應(yīng)晶體管的抗輻照威力強(qiáng);
    六:因?yàn)闆](méi)有具有錯(cuò)雜活動(dòng)的少子分散惹起的散粒噪音,因?yàn)樵胍舻汀?/div>
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理圖文詳解
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖1。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型也叫P溝道型。由圖可看出,對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管,其輸出電流是由輸入的電壓(或稱電場(chǎng))控制,可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流,這使得該器件有很高的輸入阻抗,同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管
    圖1
    為解釋MOS場(chǎng)效應(yīng)管工作原理圖,我們先了解一下僅含有一個(gè)P—N結(jié)的二極管的工作過(guò)程。如圖2所示,我們知道在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負(fù)極)時(shí),二極管導(dǎo)通,其PN結(jié)有電流通過(guò)。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),從而形成導(dǎo)通電流。同理,當(dāng)二極管加上反向電壓(P端接負(fù)極,N端接正極)時(shí),這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓,正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,電子不移動(dòng),其PN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò),二極管截止。
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管
    圖2
    對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管,在柵極沒(méi)有電壓時(shí),由前面分析可知,在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過(guò),此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道MOS。
    下面簡(jiǎn)述一下用C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管(增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)組成的應(yīng)用電路的工作過(guò)程,就愛(ài)見(jiàn)圖3。電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時(shí),P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時(shí),N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,輸出端與電源地接通。在該電路中,P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作,其相位輸入端和輸出端相反。通過(guò)這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管
    圖3
    同時(shí)由于漏電流的影響,使得柵壓在還沒(méi)有到0V,通常在柵極電壓小于1到2V時(shí),MOS場(chǎng)效應(yīng)管既被關(guān)斷。不同場(chǎng)效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因?yàn)槿绱耍沟迷撾娐凡粫?huì)因?yàn)閮晒芡瑫r(shí)導(dǎo)通而造成電源短路。
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管
    圖4
    由以上分析我們可以畫出原理圖中MOS場(chǎng)效應(yīng)管電路部分的工作過(guò)程(見(jiàn)圖4)。工作原理同前所述。
    主要參數(shù)
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時(shí)只需要關(guān)注以下幾項(xiàng)主要參數(shù)。
    ①夾斷電壓(UP)。這是指在規(guī)定的漏極電壓UDS下,使漏極電流/D(即溝道電流)為零或者小于某一小電流值(例如1μA. 10μA)時(shí),加在柵極上的電壓UGS它是結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的重要參數(shù)。
    ②開(kāi)啟電壓(UT)。這是指當(dāng)漏極電壓UDS為某一規(guī)定值時(shí),使導(dǎo)電溝道(即漏、源極之間)剛開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓UGS它是增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的重要參數(shù)。當(dāng)柵極電壓UGS小于開(kāi)啟電壓坼的絕對(duì)值時(shí),場(chǎng)效應(yīng)晶體管不能導(dǎo)通。:
    ③飽和漏電流(/DSS)。這是指當(dāng)柵、源極短路(UGS=0)時(shí),一定的漏極電壓UDS(大于夾斷電壓)所引起的漏極電流/D飽和漏電流反映了零柵壓時(shí)原始溝道的導(dǎo)電能力,是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的重要參數(shù)。
    ④低頻跨導(dǎo)(gm),在漏極電壓UDS為規(guī)定值時(shí),漏極電流變化量△/D與引起這個(gè)變化的柵壓變化量△UGS的比值,叫跨導(dǎo)(或互導(dǎo)),即gm=△/D/△UGS。gm的常用單位是mS(毫西門子)gm是衡量場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電壓對(duì)漏極電流控制能力強(qiáng)弱的一個(gè)參數(shù),也是衡量放大作用的重要參數(shù),與晶體三極管的交流電流放大系數(shù)β相似。gm與管子的工作區(qū)域有關(guān),漏極電流/D越大,管子的跨導(dǎo)gm也越大。
    ⑤漏源擊穿電壓(BUDS)。這是指柵極電壓UGS一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)晶體管正常工作所能承受的最大漏極電壓,它相當(dāng)于普通晶體三極管的集電極一發(fā)射極擊穿電壓V(BR)ceo(即BUceo)。這是一項(xiàng)極限參數(shù),使用時(shí)加在場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的工作電壓必須小于BUDS。
    ⑥最大漏源電流( /DSM)。這是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管正常工作時(shí),漏、源極之間所允許通過(guò)的最大電流,它相當(dāng)于普通晶體三極管的/CM場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作電流不應(yīng)超過(guò)這一極限參數(shù)。
    ⑦最大耗散功率(PDSM)。這是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能不變壞時(shí),所允許的最大漏極耗散功率,它相當(dāng)于普通三極管的Pcm。使用時(shí),場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)際功耗(PD=UDS×/D)應(yīng)小于這一極限參數(shù),并留有一定余量。
    引腳識(shí)別
    對(duì)于下圖(a)所示的金屬管帽封裝的三引腳圓柱狀場(chǎng)效應(yīng)管,其管帽下有一個(gè)小凸口,把引腳對(duì)著自己,從凸口開(kāi)始沿順時(shí)針?lè)较驍?shù),如果是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,依次為源極S、漏極D和柵極G;如果是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,則依次為D、G和S腳。對(duì)于塑料封裝的半圓柱狀結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,其3個(gè)引線腳呈“一字形”排列,面對(duì)標(biāo)有型號(hào)的一面,從左到右依次為S、D、G腳。對(duì)于下圖(b)所示的金屬管帽封裝的四引腳絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,其增加的第4引腳有兩種可能,如果是普通增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,則該腳為“襯底”引腳;如果是雙柵MOS管,則該腳為第二柵極引腳。
    對(duì)于有4個(gè)引腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其增加的第4腳一般是屏蔽極(使用中接地)。對(duì)于大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,將管子有字面朝自己、引腳朝下,從左至右其引腳排列順序基本上都是“G、D、S”,并且散熱片接通D極。,當(dāng)遇到型號(hào)、封裝和引腳排列不熟悉的場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí),就要查閱有關(guān)資料或用萬(wàn)用表檢測(cè)辨認(rèn)后再接入電路。
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管
    電路符號(hào)
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管
    其中結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的圖形符號(hào)中,豎直線表示能導(dǎo)電的溝道,豎直線頂部的一條直角線表示漏極D,豎直線底部的一條直角線表示源極S,豎直線左面帶箭頭的直線表示柵極G。同普通晶體三極管一樣,箭頭指向表示從P型指向N型材料,從箭頭指向就可以知道是哪種溝道的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,,很顯然,圖形符號(hào)中箭頭指向“溝道”,表示是N型溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管;箭頭背離“溝道”,表示是P型溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。由于結(jié)型管的源極S和漏極D在制造工藝上是對(duì)稱的,所以圖形符號(hào)畫法也很對(duì)稱,表示在實(shí)際應(yīng)用中這兩個(gè)電極可以對(duì)換使用。在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的圖形符號(hào)中,柵極G都不帶箭頭,不與“溝道”豎直線接觸,表示管中柵極G與漏極D.源極S是絕緣的,以區(qū)別于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。將表示溝道結(jié)型的“箭頭”改畫在“溝道”中間表示“襯底”的水平線上,即箭頭指向“溝道”,表示是N型溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;箭頭背離“溝道”,表示是P型溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。另外,箭頭線畫的短,表示襯底無(wú)引出線;箭頭線畫的稍長(zhǎng),表示襯底有引出線;箭頭線與源極S相連,表示襯底在管子內(nèi)部已經(jīng)與源極連接。對(duì)于增強(qiáng)型的管子,還將“溝道”線畫成3截,表示在零柵壓下這種管子是沒(méi)有導(dǎo)電溝道的,以區(qū)別于耗盡型MOS管和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管??梢?jiàn),掌握了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的這些圖形符號(hào),就等于掌握了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類,這對(duì)分析電路和正確運(yùn)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管都很重要。
    跟普通晶體三極管一樣,以前場(chǎng)效應(yīng)晶體管的舊圖形符號(hào)均用圓圈表示外殼,現(xiàn)已廢棄不再畫出圓圈。不過(guò)我們翻閱以前的電路圖或圖書時(shí),會(huì)看到帶有圓圈的場(chǎng)效應(yīng)晶體管圖形符號(hào)。
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的文字符號(hào)與普通晶體三極管的文字符號(hào)相同,常用VT(舊符號(hào)為BG)或V表示,在電路圖中常寫在圖形符號(hào)旁邊。若電路圖中有多只同類元器件時(shí),按常規(guī)就在文字后面或右下角標(biāo)上數(shù)字,以示區(qū)別,如VT1、VT2-文字符號(hào)的下邊,一般標(biāo)出場(chǎng)效應(yīng)晶體管的型號(hào)。
    型號(hào)命名
    共有兩種命名方法。
    第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管,3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。
    第二種命名方法是CS××#,CS代表場(chǎng)效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào),#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。
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